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晶格应变NiFeMOF在ORR的半波电位为0.83V时,省池具有500Agmetal-1的质量活性。州市(b)不同晶格应变的MOF与Pt/C的质量活度对比图。
(e,建立集通f)MOF不同晶格应变的XRD图及其XRD模拟图。特高(b)晶格应变4.3%MOF的同位素标记的SR-FTIR光谱图。投稿以及内容合作可加编辑微信:压密cailiaokefu,我们会邀请各位老师加入专家群。
然而,共安对于4e-路径的快速反应的高活性过渡金属MOF催化剂探究仍然是一个巨大的挑战。全防(d)晶格应变4.3%MOF的OER中NiL3,2-边XAS谱图。
护体图3不同晶格应变MOF的原子和电子结构(a)NiK边EXAFS光谱的傅里叶变换图。
安徽(c)晶格应变4.3%MOF的ORR中NiL3,2-边XAS谱图。(e-f)H2O,省池OH和OOH中间体在MoS2/Ni3S2异质结构上的解离机制。
(b)调节Fe,州市羟基氧化钴和W,Fe掺杂的羟基氧化钴,钨酸钨和W氧化物的OER活性的能量学。iv)纳米阵列结构一般是在金属泡沫、建立集通碳纤维布等分层衬底上制备的。
ii)要实现令人满意的电催化剂的微妙设计,特高必须明确理解其潜在的反应机理。压密(b)FeMnP在石墨烯涂层的镍泡沫上的SEM图像。